砷化鎵是一種化合物半導體材料，分子式GaAs。立方晶系閃鋅礦結構，即由As和Ga兩種原子各自組成面心立方晶格套構而成的復式晶格，其晶格常數是5.6419A。室溫下禁帶寬度1.428eV，是直接帶隙半導體，熔點1238℃，質量密度5.307g/cm3，電容率13.18。砷化鎵單晶的導帶為雙能谷結構，其最低能谷位于第一布里淵區中心，電子有效質量是0.068m0(m0為電子質量，見載流子)，次低能谷位于方向的L點，較最低能谷約高出0.29eV，其電子有效質量為0.55m0，價帶頂約位于布里淵區中心，價帶中輕空穴和重空穴的有效質量分別為0.082m0和0.45m0。較純砷化鎵晶體的電子和空穴遷移率分別為8000cm2/(V·s)和100～300cm2/(V·s)，少數載流子壽命為10-2～10-3μs。在其中摻入Ⅵ族元素Te、Se、S等或Ⅳ族元素Si，可獲得N型半導體，摻入Ⅱ族元素Be、Zn等可制得P型半導體，摻入Cr或提高純度可制成電阻率高達107～108Ω·cm的半絕緣材料。近十余年來，由于分子束外延和金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術的發展，可在GaAs單晶襯底上制備異質結和超晶格結構，已用這些結構制成了新型半導體器件如高電子遷移率晶體管(HEMT)、異質結雙極型晶體管(HBT)及激光器等，為GaAs材料的應用開發了更廣闊的前景。